Sonda superficial EX-300

Solución de metrología composicional de semiconductores frontales para nodo de 22 nm y superiores
La EX-300 de CAMECA es una herramienta de metrología única basada en LEXES que respalda los principales desarrollos de semiconductores desde la era del nodo de 90 nm y el seguimiento de la integración de los materiales más diversos. Acelera el tiempo de lanzamiento al mercado de sus dispositivos de memoria y lógica y aumenta el rendimiento integrado de su producción de alto volumen.
  • Descripción general de producto +


    El EX-300 se beneficia de más de una década de experiencia con la tecnología LEXES en la industria de los semiconductores: se han instalado docenas de sondas superficiales LEXFAB-300 en las instalaciones de fabricación de semiconductores más importantes del mundo. La EX-300 está diseñada para nuevas aplicaciones desafiantes, como SiGe y HKMG, y está diseñada para acelerar el lanzamiento al mercado de dispositivos avanzados de lógica y memoria, al tiempo que se logra un alto rendimiento de producción.

    La herramienta de elección para problemas de proceso de extremo frontal en el nodo de 32 nm y superior.
    Basado en la técnica LEXES sin contacto y no destructiva, una solución única para la medición directa de la composición química en la superficie y cerca de la superficie, la EX-300 ofrece un panel de capacidades complementarias que amplía los dominios de la metrología clásica a los procesos desafiantes actuales:
    • Implantes ultra superficiales: Monitoreo de implantes de baja energía y alta concentración
    • Control de proceso de silicio tensado: Composición química y espesor en capas epitaxiales como B:SiGe y P:SiC, sin limitación en la composición de la capa
    • Metrología HKMG: Tanto los óxidos como el metal son controlados por una sola plataforma EX-300

    La EX-300 de CAMECA ofrece estabilidad mejorada a largo plazo con un excelente límite de vacío. El siguiente gráfico muestra la reproducibilidad durante varios meses para una dosis media de As de 1,97e15 at/cm2 con un RSD global (1?) del 0,622 %.

    Análisis avanzado y sólido de patrón
    La EX-300 ha sido diseñada específicamente para realizar metrología de discos con patrones desafiantes hasta almohadillas de 30x30 ?m.
    Se logra un mayor brillo con la nueva pistola LaB6, lo que garantiza una sonda pequeña y más densa. La fuente de luz y la óptica mejoradas y una nueva cámara digital con capacidades de zoom permiten una navegación visual fluida, mientras que el nuevo plato electrostático asegura la sujeción del disco.

    Diseño optimizado y control fácil de la herramienta para un alto tiempo de actividad
    La EX-300 ofrece mejoras de rendimiento del 5 al 20 % en comparación con el modelo LEXFAB-300 de sonda superficial anterior (según la aplicación). La ergonomía mejorada permite un mantenimiento rápido y, por lo tanto, un MTTR optimizado. El software LEXES-Pilot totalmente integrado proporciona una interfaz fácil de usar y una automatización de fábrica confiable.
    LEXES-implant-dosimetry

  • Vea lo que puede hacer la EX-300 +

    • 3D FinFET metrology with EX-300 LEXES Shallow Probe
      Metrología 3D FinFET (LEXES)

      La sonda superficial EX-300 es exclusivamente capaz de detectar las variaciones en la composición de los nuevos dispositivos de estructura 3D (P/As en n-FET, Ge/B en p-FET...)

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  • Publicaciones científicas +


    A selection of publications on LEXES and Shallow Probe
    Characterization of arsenic PIII implants in FinFETs by LEXES, SIMS and STEM-EDX. Kim-Anh Bui-Thi Meura, Frank Torregrosa, Anne-Sophie Robbes, Seoyoun Choi, Alexandre Merkulov, Mona P. Moret, Julian Duchaine, Naoto Horiguchi, Letian Li, Christoph Mitterbauer. 20th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT), 2014. DOI: 10.1109/IIT.2014.6940011

    Implantation and metrology solutions for low energy boron implant on 450mm wafers. A-S. Robbes, , K-A B-T. Meura, M-P. Moret, M. Schuhmacher, F. Torregrosa, G. Borvon. 20th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT), 2014. DOI: 10.1109/IIT.2014.6940018

    Comparison of Different Characterization Techniques for Plasma Implanted Samples having Highly Doped and Shallow Implanted Layers: Dose Measurement, Profile, Etching or Deposition Characterizations.
    F. Torregrosa, C. Grosjean, N. Morel, M.P. Moret, M. Schuhmacher, Y. Depuydt, Y. Spiegel, H. Etienne, S.B. Felch, J. Duchaine, L. Roux, B. Bortolotti, R.Daineche, 18th International Conference on Ion Implantation Technology IIT 2010. AIP Conference Proceedings, Volume 1321, pp. 161-166 (2011)

    Shallow As dose measurements of 300mm patterned wafers with Secondary Ion Mass Spectrometry and Low energy Electron induced X-ray Emission Spectroscopy. H.U. Ehrke, N. Loibl, M.P. Moret, F. Horreard, J. Choi, C. Hombourger, V. Paret, R. Benbalagh, N. Morel, M. Schuhmacher, J. Vac. Sci. Technolo. B 28 (1), Feb 2010

    Addressing the challenges in elemental composition, thickness determination, and dopant dosimetry from FE to BE. Mona P. Moret, Chrystel Hombourger, Francois Desse, Rabah Benbalagh, Valerie Paret, Michel Schuhmacher, Semiconductor Fabtech, 37th edition, Volume 2, June 2008

    The low energy X-ray Spectrometry technique as applied to semiconductors. Pierre-Francois Staub, Microscopy and Microanalysis, 12, 1-7, 2006

    Dopant dose metrology for ultra-shallow implanted wafers using electron-induced X-ray spectrometry at pattern-size scale.
    P.F. Staub, R. Benbalagh, F. Desse, C. Hombourger, M. Schuhmacher. Proceedings of the 2005 International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology, University of Texas at Dallas, March 2005

    In-line quantitative dose metrology of ultra thin gate oxides.
    Y. Jee et al. Proceedings of the 2005 International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology, University of Texas at Dallas, March 2005

    Quantitative determination of dopant dose in ultra-shallow implants using the LEXES technique. P.F. Staub, C. Hombourger, M. Schuhmacher, J. Vac. Sci. Technol. B, January 2001

    LEXES and SIMS as complementary techniques for full quantitative characterization of nanometer structures.
    C. Hombourger, P.F. Staub, M. Schuhmacher, F. Desse, E. de Chambost, C. Hitzman, Proceedings of SIMS XIII, Nara, Japan, November 2001