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Análisis de hidrógeno en materiales semiconductores – Nota de aplicación

lunes, enero 19, 2026

CAMECA se complace en anunciar la publicación de una nueva nota de aplicación que muestra el inigualable rendimiento del IMS 7f Auto en el perfilado de profundidad de hidrógeno. Gracias a los avanzados protocolos analíticos SIMS, el instrumento ofrece límites de detección de hidrógeno sub ppm en silicio y GaAs, lo que permite una caracterización altamente sensible y fiable del hidrógeno en materiales semiconductores.

El estudio destaca las condiciones experimentales optimizadas —incluyendo un fondo de bajo vacío, un protocolo eficaz de prepulverización catódica y un bombardeo de iones primarios Cs⁺ de alta velocidad de pulverización catódica— que, en conjunto, garantizan excelentes límites de detección, mediciones altamente reproducibles y un alto rendimiento (30 minutos para analizar hasta ~7 μm).
Con una sensibilidad de referencia para elementos ligeros y un alto grado de automatización para flujos de trabajo multimuestra, el IMS 7f Auto es una potente herramienta para el control de procesos y la I+D en microelectrónica.

Lea la nota de aplicación completa: Analysis of Hydrogen in Semiconductor Materials - AP #SIMS-016


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