El IMS 7f-Auto se usa ampliamente para el monitoreo de adulterante en la industria de semiconductores y se aplica a distintas especies y sistemas de materiales.
El SIMS dinámico es una de las técnicas más eficientes para la medición de concentraciones de traza de impurezas en semiconductores.
Las herramientas de SIMS de energía de impacto extremadamente baja se usan para monitorear las distribuciones de profundidad de los adulterantes.
La tomografía de sonda atómica tiene la exclusiva capacidad de mapear la distribución espacial y la identidad química de adulterantes en dispositivos con transistores más pequeños.