Control de impurezas (SIMS)

Impurity control with SIMS - O depth profile in Si
Las técnicas de microanálisis comunes como la Espectrometría de masa de descarga luminiscente no pueden medir elementos ligeros (H, C, N y O) debido a las altas limitaciones de señales de fondo. Los SIMS de tiempo de vuelo pueden analizar elementos de gases atmosféricos, pero solamente con mediocres límites de detección, debido a la velocidad de adquisición demasiado baja y a los problemas de contaminación resultantes de su diseño de haz de iones de pulso intrínseco.
Basándose en la técnica de SIMS dinámica, el IMS 7f-Auto está diseñado para lograr excelentes límites de detección en mediciones de elementos ligeros, gracias a:
  • Pulverización de haz de iones continua y diseño de espectrómetro de masa de sector magnético para proporcionar una sensibilidad extrema;
  • Cámara de análisis UHV con condiciones de vacío optimizadas, lo que minimiza el nivel de fondo creado por gases residuales;
  • Cámara de almacenamiento de seis soportes totalmente automatizada que proporciona un alto rendimiento ya que las múltiples muestras se pueden bombear y desgasificados por la noche;
  • Haz de iones principal de Cs de alta densidad que permite tasas de pulverización altas que mejoran de forma significativa los límites de detección.
Adicionalmente, el IMS 7f-Auto ofrece una capacidad de perfilado de profundidad con una resolución y rendimiento altos y puede proporcionar información sobre la uniformidad con la resolución lateral de submicrones.

Arriba: Excelente límite de detección de oxígeno en Si (bajo E16 at/cm3) usando un haz principal de Cs+ de energía de impacto alta de 15keV bajo condiciones de tasas de pulverización distintas (SR). Estos perfiles de profundidad se pueden registrar hasta varios micrones en minutos.