Principios básicos de SIMS dinámico, que permiten la composición masiva y la distribución de profundidad de elementos traza con una resolución de profundidad que va desde subnm hasta decenas de nm.
SIMS totalmente automatizado con límites de detección inigualables, optimizado para aplicaciones desafiantes como vidrio, metales, cerámica, a base de Si, III-V, II-VI, materiales a granel, películas delgadas
Instrumento compacto SIMS de alto rendimiento para mediciones en muestras geológicas, es decir, isótopos estables, REE (elementos de tierras raras), elementos traza...
Microsonda de SIMS de gran geometría con rendimiento analítico inigualable para aplicaciones de geociencia: isótopos estables, elementos traza, geocronología, análisis de partículas...
La microsonda SIMS dedicada a la geocronología con sensibilidad de referencia para análisis isotópicos de U-Th-Pb in-situ en una plataforma de alto rendimiento y fácil de usar.
La microsonda SIMS para el análisis de características ultra finas en materiales, geología, planetario y ciencias biológicas
SIMS en línea totalmente automatizados que realizan mediciones de composición sobre la marcha directamente en las líneas de fabricación de semiconductores.
Herramientas SIMS de baja energía y alto rendimiento para aplicaciones avanzadas de semiconductores: implantes extra superficiales y de alta energía, óxidos ultrafinos, compuerta de metal de alta k, SiGe, PV, LED, grafeno
SIMS de cuádruplo que combina capacidades de perfilado de profundidad ultra superficial de referencia con operación fácil para aplicaciones de semiconductores.
Microsonda de iones blindado para la manipulación segura y el análisis isotópico y elemental preciso de muestras radiactivas.
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