Caracterización de escala atómica de adulterantes (APT)

3D nanoscale analysis of dopant in semiconductor with Atom Probe Tomography
Debido a que las estructuras de transistores siguen reduciéndose para mantener el ritmo de la Ley Moore, el análisis existente y las tecnologías de metrología actualmente en uso ya no serán suficientes para caracterizar totalmente los dispositivos de nanoescala. La sonda atómica tiene la exclusiva capacidad de caracterizar los ciclos de tecnología de la siguiente generación mediante el mapeo de la distribución espacial y la identidad química de adulterantes en la escala atómica.

La imagen de la izquierda muestra una reconstrucción en 3D de un estructura de prueba de semiconductor estándar analizado por medio del LEAP Si de CAMECA, se muestra una imagen TEM de una estructura equivalente para comparar.

La polisilicona fue depositada en un disco de silicona de cristal simple <100>, enmascarado y grabado antes del implante de As.

El compuerta dieléctrica se ubica directamente debajo de la línea poli-Si. Los átomos de As (esferas púrpuras) se ubican a un costado de la línea poli-Si con una pequeña cantidad de distribución lateral. El óxido de compuerta y el óxido nativo son denotados en la superficie de isoconcentración de oxígeno azul. La morfología de la superficie de óxido muestra que el proceso de implante resultó en la mezcla considerable del óxido nativo y el sustrato de Si.

Complementos de muestra de Intel Corporation.
Complementos de imagen TEM de la Universidad de Florida.