Monitoreo de adulterantes en dispositivos LED (SIMS)

Dopant monitoring in LEDs with SIMS
La dosificación optimizada (Mg, Si, Zn, ...) y la incorporación reducida de impurezas (H, C, O, metales) son esenciales para dispositivos LED de alta eficiencia. Al usar SIMS de forma dinámica, los perfiles de profundidad se pueden registrar hasta por varios micrones en minutos, con límites de detección desde ppm hasta ppb dependiendo de las especies que se van a analizar. SIMS dinámico también ofrece alta resolución de profundidad, la cual se ha usado ampliamente para tecnología de implante a muy poca profundidad. Por lo tanto, los instrumentos de SIMS de CAMECA son extremadamente útiles en la investigación de la composición y caracterización de la distribución elemental de adulterantes e impurezas en distintas capas, lo que los hace la mejor elección para la investigación y desarrollo y el control de proceso de dispositivos LED novedosos.

Dopaje y monitoreo de la composición de la estructura
Basado en el espectrómetro de masa de sector magnético, el IMS 7f-Auto logra obtener un rendimiento de referencia en términos de sensibilidad, resolución de profundidad y de masa. Los datos del perfil de profundidad son obtenidos de forma rutinaria tanto para especies de matriz como adulterantes. Las condiciones experimentales son seleccionadas para proporcionar los mejores límites de detección tanto para adulterantes tipo p como n y para garantizar un rendimiento optimizado y facilitar el uso.

Control de impurezas y análisis de fallos
En compuestos LED, la contaminación no deseada de H, C y O en defectos de la estructura cristalina de GaN afecta las propiedades y cambia la longitud de onda de emisión pretendida. Gracias al vacío optimizado en su cámara de análisis y el bombardeo del haz principal de alto brillo, el IMS 7f-Auto supera a todos los instrumentos analíticos en el mercado para el análisis de elementos ligeros. Los límites de detección para H, C, O son inigualables.