SIMS 4550

Alta resolución de profundidad y alto rendimiento
Con las dimensiones cada vez más reducidas de los dispositivos, los perfiles de los implantes y el grosor de la capa de los semiconductores actuales suelen estar en el rango de 1-10 nm. El SIMS 4550 ha sido optimizado para abordar estos campos de aplicación al ofrecer haz primario de alta densidad de oxígeno y cesio con una energía de impacto programable desde 5 keV hasta menos de 150 eV.

Flexibilidad
El SIMS 4550 de CAMECA es una herramienta SIMS dinámica que ofrece flexibilidad total en condiciones de pulverización (ángulo de impacto, energía, especie). Con opciones dedicadas para la compensación de carga (pistola de electrones, láser) durante la pulverización de muestra, los materiales aislantes se pueden analizar fácilmente. El SIMS 4550 mide el espesor de la capa, la alineación, la brusquedad, la integridad, la uniformidad y la estequiometria. Los portamuestras pueden acomodar una variedad de muestras: piezas pequeñas de unos cuantos mm² hasta un tamaño de muestra de 100 mm de diámetro.

Alta precisión y automatización
La óptica del analizador de cuádruplo de última generación y el rendimiento superior de pico a fondo son factores clave para los bajos límites de detección de los elementos traza. El SIMS 4550 ofrece una sensibilidad excelente para H, C, N y O gracias a su diseño UHV avanzado con presión de cámara principal en el rango bajo de E-10 mbar (E-8Pa). Las fuentes de iones ultra estables y la electrónica garantizan la máxima precisión y repetibilidad de las mediciones hasta < 0,2 % de RSD.
El factor humano en la precisión se toma en consideración con un software fácil de usar, recetas predefinidas, operación remota y solución de problemas. Todos los ajustes del instrumento de cada medición se almacenan en una base de datos. Por lo tanto, las mediciones repetidas están a solo unos clics del mouse. Otras funciones de automatización

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Monitoring of rapid thermal anneal with secondary ion mass spectrometry. Z. X. Jiang, A. Ravi, T. Breeden, K. Khmelnitskiy, A. Duncan, D. Huynh, S. Butler, B. Granados, D. Acker, J. Luebbe, D. Sieloff, S. Bolton, and G. Prieto. J. Vac. Sci. Technol. B 42, 034007 (2024)
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Automation, Electronics, Electrical Engineering and Space Technologies. R Bogdanowicz. Doctoral defense (2024)
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Surface passivation in c-Si solar cells via a double-barrier quantum-well structure for ameliorated performance. Muhammad Quddamah Khokhar, Jaeun Kim, Ziyang Cui, Sungjin Jeong, Sungheon Kim, Rajiv Kumar Pandey, Eun-Chel Cho, Junsin Yi. Applied Surface Science 607 (2023) 155082
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Front-side and back-side secondary ion mass spectrometry analyses on advanced doping processes for ultra-large scale integrated circuit: A case study. Shu Qin. Thin Solid Films Volume 766, 1 February 2023, 139654
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Double-Barrier Quantum-Well Structure: An Innovative Universal Approach for Passivation Contact for Heterojunction Solar Cells. Muhammad Quddamah Khokhar, Hasnain Yousuf, Shahzada Qamar Hussain, Youngkuk Kim,Rajiv Kumar Pandey, Eun-Chel Cho, and Junsin Yi. Applied Energy Materials (2023)
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Applications and mechanisms of anisotropic two-step Si3N4 etching with hydrogen plasma conditioning. Ying Rui, Meng-Hsien Chen, Sumeet Pandey, et al. J. Vac. Sci. Technol. A 41, 022601 (2023)
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Advanced Optical Spectroscopy Techniques for Semiconductors. Masanobu Yoshikawa. Springer, Cham. (2023)
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Design of mechanically advantaged glasses with hydration-induced stress profiles. Timothy M. Gross, Jingshi Wu. International Journal of Applied Glass Science (2023) 
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Impact of B2H6 plasma treatment on contact resistivity in silicon heterojunction solar cells. Kazuhiro Gotoh, Ryo Ozaki, Motoo Morimura, Aki Tanaka, Yoshiko Iseki, Kyotaro Nakamura, Kazuo Muramatsu, Yasuyoshi Kurokawa, Yoshio Ohshita and Noritaka Usami. Kazuhiro Gotoh et al. Jpn. J. Appl. Phys. 62 SK1026 (2023)
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Simultaneous measurement of impurities and composition by secondary ion mass spectrometry with optical emission spectrometry. Takashi Miyamoto, Shigenori Numao, Junichiro Sameshima & Masanobu Yoshikawa. Surface and Interface Analysis. (2023); 1–6.
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Formation of Al3Sc in Al0.8Sc0.2 thin films. Giovanni Esteves, Joseph Bischoff, Ethan W.S. Schmidt, Mark A. Rodriguez, Samantha G. Rosenberg, Paul G. Kotula. Vacuum. Volume 200, June 2022, 111024 
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Boron Delta-Doping in Hydrogenated Amorphous Silicon for High-Performance Silicon Heterojunction Solar Cells. Gotoh, Kazuhiro and Ozaki, Ryo and Morimura, Motoo and Tanaka, Aki and Iseki, Yoshiko and Nakamura, Kyotaro and Muramatsu, Kazuo and Kurokawa, Yasuyoshi and Ohshita, Yoshio and Usami, Noritaka. SSRN. SOLMAT-D-22-00208 (2022) 
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A CVD diamond reactor for controlled thin film growth with sharp layer interfaces. Philip Schätzle, Philipp Reinke, David Herrling, Arne Götze, Lukas Lindner, Jan Jeske, Lutz Kirste, and Peter Knittel
Phys. Status Solidi A 2022, 2200351.
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Imaging and hydrogen analysis by SIMS in zirconium alloy cladding: a dual ion beam approach. N.Mine, S.Portier and M.Martin. Surface and Interface Analysis. Volume 46, Issue S1, pages 249–252, November 2014

Shallow As dose measurements of 300mm patterned wafers with Secondary Ion Mass Spectrometry and Low energy Electron induced X-ray Emission Spectroscopy. H.U. Ehrke, N. Noible, M.P. Moret, F. Horreard, J. Choi, C. Hombourger, V. Paret, R. Benbalagh, N. Morel, M. Schuhmacher, J. Vac. Sci. Technolo. B 28 (1), 1071-1023, Jan/Feb 2010

Thickness dependence of hole mobility in ultrathin SiGe-channel p-MOSFETs. C.N. Chleirigh, N.D. Theodore, H. Fukuyama, S. Mure, H.-U. Ehrke, A. Domenicucci, J.L. Hoyt, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 55, Issue 10, pp 2687-2694, October 2008

SIMS analysis of implanted and RTP annealed wafers for sub-100nm technology. H-U.Ehrke, A.Sears, W.Lerch, S.Paul, G.Roters, D.F.Downey, E.A.Arevalo. Paper at USJ 2003 published in JVST-B 22(1) Jan-Feb 2004

Quantification of Ge and B in SiGe using secondary ion mass spectrometry. H-U.Ehrke, H.Maul, Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 8, Issues 1-3, 2005, 111-114

Charge compensation using optical conductivity enhancement and simple analytical protocols for SIMS of resitive Si1-xGex alloy layers. M. G. Dowsett and al. Applied surface science, 9299 (2002) 1-4

Establishing an accurate depth-scale calibration in the top few nanometers of an ultrashallow implant profile. M. G. Dowsett et al, Phys. Rev. B 65, 113412 (2002)