SIMS 4550

Perfilado de profundidad de adulterante de SIMS de cuádruplo y análisis de capa delgada en semiconductores
El SIMS 4550 de CAMECA ofrece capacidades extendidas para el perfilado de profundidad ultra superficial, elementos traza y mediciones de composición de capas delgadas en Si, alto-k, SiGe y otros materiales compuestos como III-V para dispositivos ópticos.
  • Descripción general de producto +


    Alta resolución de profundidad y alto rendimiento
    Con las dimensiones cada vez más reducidas de los dispositivos, los perfiles de los implantes y el grosor de la capa de los semiconductores actuales suelen estar en el rango de 1-10 nm. El SIMS 4550 ha sido optimizado para abordar estos campos de aplicación al ofrecer haz primario de alta densidad de oxígeno y cesio con una energía de impacto programable desde 5 keV hasta menos de 150 eV.

    Flexibilidad
    El SIMS 4550 de CAMECA es una herramienta SIMS dinámica que ofrece flexibilidad total en condiciones de pulverización (ángulo de impacto, energía, especie). Con opciones dedicadas para la compensación de carga (pistola de electrones, láser) durante la pulverización de muestra, los materiales aislantes se pueden analizar fácilmente. El SIMS 4550 mide el espesor de la capa, la alineación, la brusquedad, la integridad, la uniformidad y la estequiometria. Los portamuestras pueden acomodar una variedad de muestras: piezas pequeñas de unos cuantos mm² hasta un tamaño de muestra de 100 mm de diámetro.

    Alta precisión y automatización
    La óptica del analizador de cuádruplo de última generación y el rendimiento superior de pico a fondo son factores clave para los bajos límites de detección de los elementos traza. El SIMS 4550 ofrece una sensibilidad excelente para H, C, N y O gracias a su diseño UHV avanzado con presión de cámara principal en el rango bajo de E-10 mbar (E-8Pa). Las fuentes de iones ultra estables y la electrónica garantizan la máxima precisión y repetibilidad de las mediciones hasta < 0,2 % de RSD.
    El factor humano en la precisión se toma en consideración con un software fácil de usar, recetas predefinidas, operación remota y solución de problemas. Todos los ajustes del instrumento de cada medición se almacenan en una base de datos. Por lo tanto, las mediciones repetidas están a solo unos clics del mouse. Otras funciones de automatización

  • Descargar documentación +

  • Publicaciones científicas +


    Below is a selection of Quadrupole SIMS publications
    Imaging and hydrogen analysis by SIMS in zirconium alloy cladding: a dual ion beam approach. N.Mine, S.Portier and M.Martin. Surface and Interface Analysis. Volume 46, Issue S1, pages 249–252, November 2014

    Shallow As dose measurements of 300mm patterned wafers with Secondary Ion Mass Spectrometry and Low energy Electron induced X-ray Emission Spectroscopy. H.U. Ehrke, N. Noible, M.P. Moret, F. Horreard, J. Choi, C. Hombourger, V. Paret, R. Benbalagh, N. Morel, M. Schuhmacher, J. Vac. Sci. Technolo. B 28 (1), 1071-1023, Jan/Feb 2010

    Thickness dependence of hole mobility in ultrathin SiGe-channel p-MOSFETs.
    C.N. Chleirigh, N.D. Theodore, H. Fukuyama, S. Mure, H.-U. Ehrke, A. Domenicucci, J.L. Hoyt, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 55, Issue 10, pp 2687-2694, October 2008

    SIMS analysis of implanted and RTP annealed wafers for sub-100nm technology. H-U.Ehrke, A.Sears, W.Lerch, S.Paul, G.Roters, D.F.Downey, E.A.Arevalo. Paper at USJ 2003 published in JVST-B 22(1) Jan-Feb 2004

    Quantification of Ge and B in SiGe using secondary ion mass spectrometry. H-U.Ehrke, H.Maul, Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 8, Issues 1-3, 2005, 111-114

    Charge compensation using optical conductivity enhancement and simple analytical protocols for SIMS of resitive Si1-xGex alloy layers. M. G. Dowsett and al. Applied surface science, 9299 (2002) 1-4

    Establishing an accurate depth-scale calibration in the top few nanometers of an ultrashallow implant profile.
    M. G. Dowsett et al, Phys. Rev. B 65, 113412 (2002)